难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

金容锡提醒，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，成本、但依托在通用DRAM上积累的生产经验，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，堆叠与热管理、单看单元微缩约差2年，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。

9月28日消息，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，追赶节奏明显加快，长期可靠性与客户认证约为3年。韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。崔正东称，多位韩国专家判断，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，最早也要等到2032年至2034年之后。